Thiết kế mạch LDO đầu vào dải rộng sử dụng công nghệ CMOS 180 nm
Bài viết Thiết kế mạch LDO đầu vào dải rộng sử dụng công nghệ CMOS 180 nm trình bày về thiết kế mạch ổn áp tuyến tính điện áp rơi thấp (LDO) đạt được dải rộng của điện áp đầu vào trên công nghệ CMOS TSMC 180 nm.
Xin lỗi bạn không thể down load tài liệu này. Bạn có thể xem tài liệu trực tuyến trên website hoặc liên hệ thư viện trường để được hướng dẫn. Cảm ơn bạn đã sử dụng dịch vụ của chúng tôi.
Bạn vui lòng tham khảo thỏa thuận sử dụng của thư viện số.