Nâng cao một số các tính chất điện và quang của màng pha tạp silic vô định hình ứng dụng chế tạo pin mặt trời chuyển tiếp dị thể
Trong báo cáo này, màng silic vô định hình pha tạp loại N được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma (PECVD) với tỉ lệ hidro pha loãng silan (H2/SiH4+H2) từ 90 % đến 97 %, đồng thời cố định các thông số khác như áp suất, nhiệt độ đế, công suất plasma và nồng độ pha tạp.
Xin lỗi bạn không thể down load tài liệu này. Bạn có thể xem tài liệu trực tuyến trên website hoặc liên hệ thư viện trường để được hướng dẫn. Cảm ơn bạn đã sử dụng dịch vụ của chúng tôi.
Bạn vui lòng tham khảo thỏa thuận sử dụng của thư viện số.