TÀI LIỆU SỐ
- Công nghệ thông tin (710 )
- CN Kỹ thuật Cơ khí (616 )
- CN Kỹ thuật Điện - Điện tử (585 )
- CN Kỹ thuật Hóa học (405 )
- Công nghệ thực phẩm (506 )
- CN Kỹ thuật Xây dựng (638 )
- Ngôn ngữ Anh (232 )
- Đông phương học (162 )
- Kế toán (592 )
- Quản trị kinh doanh (795 )
- Khoa học cơ bản (416 )
- Khoá luận tốt nghiệp (10 )
- Luận văn-Luận án-Báo Cáo (11 )
- Kỹ năng sống (108 )
- Sách tham khảo khác (156 )
Danh mục TaiLieu.VN
- Mẫu Slide Powerpoint
- Luận Văn - Báo Cáo (344720)
- Kinh Doanh Marketing (65512)
- Kinh Tế - Quản Lý (48934)
- Tài Chính - Ngân Hàng (55898)
- Công Nghệ Thông Tin (142209)
- Tiếng Anh - Ngoại Ngữ (47066)
- Kỹ Thuật - Công Nghệ (134345)
- Khoa Học Tự Nhiên (107174)
- Khoa Học Xã Hội (82451)
- Văn Hoá - Nghệ Thuật (54408)
- Y Tế - Sức Khoẻ (173915)
- Nông - Lâm - Ngư (62504)
- Kỹ Năng Mềm (29016)
- Biểu Mẫu - Văn Bản (27610)
- Giải Trí - Thư Giãn (51994)
- Văn Bản Luật (198854)
- Tài Liệu Phổ Thông (402015)
- Trắc Nghiệm Online (213578)
- Trắc Nghiệm MBTI
- Trắc Nghiệm Holland
Nghiên cứu nâng cao đặc tính mosfet bằng cách thay đổi vật liệu lớp cách điện
Việc mở rộng quy mô của chất bán dẫn oxide metal bổ sung CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) đã dẫn đến lớp SiO2 (Silicon dioxide) được sử dụng làm điện môi cổng trở nên quá mỏng (~1.4 nm) làm cho dòng điện rò cổng quá lớn.
Từ khóa: Vật liệu cách điện, Nâng cao đặc tính mosfet, Điện môi cổng trở, Chất bán dẫn oxide metal bổ sung CMOS, Vật liệu high-k
5 p tailieu_bvu 28/11/2021 51 0
