TÀI LIỆU SỐ

Danh mục TaiLieu.VN

Thời gian tán xạ của điện tử trong giếng lượng tử GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ hữu hạn có xét đến hiệu ứng tương quan trao đổi

Bài viết khảo sát tỉ số thời gian tán xạ vận chuyển τt và thời gian hồi phục đơn hạt τs của khí điện tử tựa hai chiều (Q2DEG) trong giếng lượng tử ghép mạng không đối xứng hữu hạn GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ bất kỳ có xét đến hiệu ứng tương quan – trao đổi thông qua hiệu chỉnh trường cục bộ LFC với gần đúng G = 0, gần đúng Hubbard GH, và gần đúng tự hợp STLS GGA.

Từ khóa: Thời gian tán xạ vận chuyển, Thời gian hồi phục đơn hạt, Hiệu ứng tương quan-trao đổi, Khí điện tử, Tán xạ áp điện nhám-cộng hưởng

8 p tailieu_bvu 27/04/2020 175 1

Bình luận