Thời gian tán xạ của điện tử trong giếng lượng tử GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ hữu hạn có xét đến hiệu ứng tương quan trao đổi
Bài viết khảo sát tỉ số thời gian tán xạ vận chuyển τt và thời gian hồi phục đơn hạt τs của khí điện tử tựa hai chiều (Q2DEG) trong giếng lượng tử ghép mạng không đối xứng hữu hạn GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ bất kỳ có xét đến hiệu ứng tương quan – trao đổi thông qua hiệu chỉnh trường cục bộ LFC với gần đúng G = 0, gần đúng Hubbard GH, và gần đúng tự hợp STLS GGA.
Xin lỗi bạn không thể down load tài liệu này. Bạn có thể xem tài liệu trực tuyến trên website hoặc liên hệ thư viện trường để được hướng dẫn. Cảm ơn bạn đã sử dụng dịch vụ của chúng tôi.
Bạn vui lòng tham khảo thỏa thuận sử dụng của thư viện số.