TÀI LIỆU SỐ
- Công nghệ thông tin (710 )
- CN Kỹ thuật Cơ khí (616 )
- CN Kỹ thuật Điện - Điện tử (585 )
- CN Kỹ thuật Hóa học (405 )
- Công nghệ thực phẩm (506 )
- CN Kỹ thuật Xây dựng (638 )
- Ngôn ngữ Anh (232 )
- Đông phương học (162 )
- Kế toán (592 )
- Quản trị kinh doanh (795 )
- Khoa học cơ bản (416 )
- Khoá luận tốt nghiệp (10 )
- Luận văn-Luận án-Báo Cáo (11 )
- Kỹ năng sống (108 )
- Sách tham khảo khác (156 )
Danh mục TaiLieu.VN
- Mẫu Slide Powerpoint
- Luận Văn - Báo Cáo (344720)
- Kinh Doanh Marketing (65512)
- Kinh Tế - Quản Lý (48934)
- Tài Chính - Ngân Hàng (55898)
- Công Nghệ Thông Tin (142209)
- Tiếng Anh - Ngoại Ngữ (47066)
- Kỹ Thuật - Công Nghệ (134345)
- Khoa Học Tự Nhiên (107174)
- Khoa Học Xã Hội (82451)
- Văn Hoá - Nghệ Thuật (54408)
- Y Tế - Sức Khoẻ (173915)
- Nông - Lâm - Ngư (62504)
- Kỹ Năng Mềm (29016)
- Biểu Mẫu - Văn Bản (27610)
- Giải Trí - Thư Giãn (51994)
- Văn Bản Luật (198854)
- Tài Liệu Phổ Thông (402015)
- Trắc Nghiệm Online (213578)
- Trắc Nghiệm MBTI
- Trắc Nghiệm Holland
Thiết kế nguồn điện áp tham chiếu Bandgap công suất thấp sử dụng công nghệ CMOS 28nm
Bài viết Thiết kế nguồn điện áp tham chiếu Bandgap công suất thấp sử dụng công nghệ CMOS 28nm đề xuất một cấu trúc mạch tham chiếu Bandgap công suất thấp, được thực hiện trên công nghệ CMOS 28nm, hoạt động ổn định trong một dải điện áp nguồn từ 1,1 tới 2V với hệ số khử nhiễu nguồn 54dB.
Từ khóa: Điện áp tham chiếu, Điện áp tham chiếu Bandgap, Thiết kế nguồn điện áp, Công nghệ CMOS 28nm, Hệ số khử nhiễu nguồn 54dB
6 p tailieu_bvu 23/07/2022 42 0
